N6012ZD020

IXYS Westcode 부품 번호	N6012ZD020
평균 온 상태 전류, IT(AV)M(TC)	6012A(55°C)
전압, VDRM/VRRM	200V
패키지 치수 ØD×Ød×H	패키지 W46 110x73x26mm
데이터시트	요청 시 + –

위상 제어 사이리스터 N6012ZD020 자이티리스터 공장 실리콘 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier)라고도 알려진 범용 디스크 사이리스터입니다.SCR). DC 및 AC 전류를 최대 1000V까지 변환 및 제어하도록 설계된 전력 사이리스터입니다.100A최대 전압이 있는 회로에서 최대 500Hz의 주파수를 사용합니다.5000V – 6000V(전압 등급 50~60). 사이리스터 크기 ØDxØdxH – 42x19x26mm(외부 케이스 직경 X 접점 표면 직경 X 케이스 높이), 무게 – 100g.

사이리스터 정격: T123-100-50(100A 5000V), T123-100-52(100A 5200V), T123-100-54(100A 5400V), T123-100-56(100A 5600V), T123-100-58 (100A 5800V), T123-100-60 (100A 6000V).

사이리스터의 양극과 음극(극성)은 케이스의 기호에 따라 결정됩니다. 사이리스터는 프레스 팩 디스크(캡슐, 태블릿) 하우징에 있습니다. 이 SCR 사이리스터는 디스크 패키지의 다른 유형의 사이리스터 90A, 100A와 동등한 대체 제품, 교체, 아날로그일 수 있습니다.

전력 사이리스터 작동 중 냉각을 위해 냉각기(방열판)가 장착됩니다. 발생하는 열의 양과 반도체의 작동 조건에 따라자연스러운공기 흐름 냉각 또는강요된냉각을 사용할 수 있습니다.

조립 시 필요한 조임력 F_중각 유형의 사이리스터 케이스에 대한 특정 정보(매개변수 표에 표시됨)가 제공되어야 합니다.

사이리스터 SCR 디스크 유형은 전원 및 제어 장치, 전력 조정기, 변환기(예: 용해로), 빠른 스위칭 및 전류 제어가 필요한 컨트롤러 등 전력 장비에 사용됩니다.

사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 샘플 기술 여권, 치수, 외형도, 케이스 다이어그램 사이리스터, 권장 쿨러가 아래에 나열되어 있습니다.

당사는 전력용 scr 사이리스터에 대해 구입일로부터 2년간 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터 공급 시 필요한 경우 기술 여권, 적합성 인증서를 제공합니다.

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위상 제어 디스크 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 지불 방법에 따라 다릅니다.

위상 제어 사이리스터 T123-100의 일반 사양:

사이리스터 사양		ATDN6012ZD020
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도)	나_신사)(티_사례)	145A(85°C) 176A(70°C)
반복적인 피크 오프 상태 전압; 반복 피크 역전압	다섯_DRM/다섯_RRM	5000-6000V
RMS 온 상태 전류	나_TRMS	276A
서지 온 상태 전류	나_TSM	1.0카
안전계수	나²티	5카²·에스
피크 온 상태 전압, 최대	다섯_TM	2.60V
피크 온 상태 전류	나_TM	314A
온 상태 임계 전압, 최대	다섯_티(에)	1.30V
온 상태 경사 저항, 최대	아르 자형_티	6.00mΩ
끄기 시간, 최대	티_큐	630μs
패키지 유형, 크기	ØDxØxH	PT23 42x19x26mm
권장 방열판	방열판	O123
데이터시트	PDF

SCR 사이리스터 T123-100용 부품 번호 지정 가이드:

티

123

–

100

–

티	–	사이리스터, 자이티리스터 공장
123	–	사이리스터형(디스크형).
100	–	개방 상태 I의 평균 전류_신사), 앰프.
60	–	전압 등급 V_RRM/ 100 (공칭 전압 – 6000V).
4	–	오프 상태 전압의 임계 상승률(dV) 매개변수_디/dt)_cr:
영숫자 코딩	P2	K2	E2	A2	T1	P1	M1
디지털 코딩	4	5	6	7	8	–	9
(dV_디/dt)_cr, V/μs	200	320	500	1000	1600	2000	2500

2	–	꺼짐 시간 t의 매개변수_큐:
영숫자 코딩	0	지하 2층	C2	E2	H2	K2	M2	P2	T2	X2	A3
디지털 코딩	0	–	–	1	–	–	2	–	3	–	4
티_큐, µs	표준화되지 않음	800	630	500	400	320	250	200	160	125	100

메모:위상 제어 사이리스터(T)에 대한 동적 매개변수 그룹 식별 Identification of dynamic parameter groups for Phase Control Thyristors (T)

위상 제어 사이리스터 N0465WN140 및 교체 ATDN0465WN140의 치수:

패키지 W90

디스크 사이리스터 T123-100의 극성(양극, 음극, 게이트) 및 치수:

Polarity (anode, cathode, gate) and dimensions of disc thyristor T123-100:

고전력 반도체자이티리스터 공장

우리 회사는 최대 15000A의 전류, 최대 9000V의 전압, 공기 및 물 방열판 등 광범위한 전력 반도체(전력 사이리스터, 모듈, 정류기 다이오드, 눈사태, 회전자 및 용접 다이오드, 트라이액 등)의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 장치를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량으로 주문하면 가격이 낮아집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

전력 사이리스터, 다이오드, 모듈 구입에 관한 질문이 있는 경우 다음 주소로 이메일 요청을 보내십시오.

[email protected]

그리고 우리는 귀하에게 배송에 대한 상업적 제안을 제공할 것입니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공해드립니다!

우리는 생산 시설에서 제품을 생산할 수 있습니다.
귀하의 요청 및 기술적 작업에 따라.

파워 디스크 사이리스터용 방열판:

방열판(라디에이터)은 디스크 설계에서 전력 반도체 장치의 단면 및 양면 냉각에 사용됩니다.

방열판에 대한 자세한 내용은 다음을 참조하세요."디스크 장치용 공냉식 방열판 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "수열싱크 SS 시리즈".

위상 제어 사이리스터 SCR의 사진:

Jythyristor 공장을 선택하는 이유

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 업계에서 20년 이상의 경험
50개 이상 국가의 고객이 우리를 신뢰합니다.
10A~15000A의 전류, 100V~9000V의 전압을 위한 제품 라인의 20000개 품목
우리는 다른 제조업체의 제품과 유사한 제품을 생산합니다.
인증된 품질 보장, 작동 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준을 준수합니다.
우리 회사는 다음 제품에 대해 품질 보증을 제공합니다.2년.
우리는 고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트를 거쳤으며,테스트 보고서각 제품에 대한 매개 변수가 제공됩니다.

파트너십 지리

JY공장전 세계 50여 개국에 전력반도체를 제조, 공급하고 있는 회사입니다.

물류 및 배송

우리는 DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex 등 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계에 제품을 배송합니다.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

Jythyristor 공장 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류기 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 애벌런치 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 고속 복구, 용접 및 회전자 다이오드, 트라이액, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터 다이오드, IGBT), 공기 및 물 방열판이 포함됩니다.

전력 다이오드와 사이리스터는 10A~15000A의 전류, 100V~9000V의 전압 범위에 대해 생산됩니다.
파워 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 최대 1250A, 전압 범위 400V - 4400V에서 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 등가, 대체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.