N6012ZD040

IXYS Westcode 부품 번호	N6012ZD020
평균 온 상태 전류, IT(AV)M(TC)	6012A(55°C)
전압, VDRM/VRRM	400V
패키지 치수 ØD×Ød×H	패키지 W46 110x73x26mm
데이터시트	요청 시 + –

위상 제어 사이리스터 DN6012ZD040자이티리스터 공장SCR 사이리스터 N6012ZD040 IXYS UK Westcode, Littelfuse의 대체, 아날로그, 대체 및 등가 반도체 장치입니다.

평균 순방향 온 상태 전류 ITAV – 6012암페어, 반복 피크 순방향 및 역방향 전압 VDRM/VRRM – 400V. 위상 제어 사이리스터는 DC 및 AC 전류를 변환하고 제어하도록 설계되었습니다. 사이리스터 냉각용 "디스크 장치용 공냉식 방열판 O 시리즈", "공기 방열판 SF 시리즈", "수랭식 방열판 SS 시리즈"도 주문 가능합니다. 특징: 프레스 팩 산업 표준 세라믹 하우징; 고전력 산업 및 전력 전송 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 낮은 온 상태 전압 강하에 최적화되었습니다. 직렬 및/또는 병렬 연결에 사용할 수 있는 Qrr 및 VT 값과 일치합니다. 사이리스터의 양극과 음극(극성)은 케이스의 기호에 따라 결정됩니다.

PCT(전력 위상 제어 사이리스터)는 SCR 사이리스터(실리콘 제어 정류기), 캡슐형 사이리스터라고도 하며 낮은 전도 손실을 제공하도록 최적화되었으며 주로 최대 500Hz의 라인 주파수를 사용하는 애플리케이션에 사용됩니다.

사이리스터자이티리스터 공장낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업 분야에서 장치 사용에 대한 광범위한 경험, 100~9000V의 전압 범위 및 10~15000A의 암페어, 열 및 전기 사이클링에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각 등의 특징을 갖습니다. N6012ZD040 및 대체품 ATDN6012ZD040의 기술 사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 외형도 및 치수가 아래에 나열되어 있습니다.

당사는 사이리스터에 대해 구입일로부터 2년간 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터 공급 시 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

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위상 제어 디스크 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 지불 방법에 따라 다릅니다.

위상 제어 사이리스터 T123-100의 일반 사양:

사이리스터 사양		DN6012ZD040
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도)	나_신사)(티_사례)	145A(85°C) 176A(70°C)
반복적인 피크 오프 상태 전압; 반복 피크 역전압	다섯_DRM/다섯_RRM	5000-6000V
RMS 온 상태 전류	나_TRMS	276A
서지 온 상태 전류	나_TSM	1.0카
안전계수	나²티	5카²·에스
피크 온 상태 전압, 최대	다섯_TM	2.60V
피크 온 상태 전류	나_TM	314A
온 상태 임계 전압, 최대	다섯_티(에)	1.30V
온 상태 경사 저항, 최대	아르 자형_티	6.00mΩ
끄기 시간, 최대	티_큐	630μs
패키지 유형, 크기	ØDxØxH	PT23 42x19x26mm
권장 방열판	방열판	O123
데이터시트	PDF

SCR 사이리스터 T123-100용 부품 번호 지정 가이드:

티

123

–

6012

–

티	–	사이리스터, 자이티리스터 공장
123	–	사이리스터형(디스크형).
6012	–	개방 상태 I의 평균 전류_신사), 앰프.
60	–	전압 등급 V_RRM/ 100 (공칭 전압 – 6000V).
4	–	오프 상태 전압의 임계 상승률(dV) 매개변수_디/dt)_cr:
영숫자 코딩	P2	K2	E2	A2	T1	P1	M1
디지털 코딩	4	5	6	7	8	–	9
(dV_디/dt)_cr, V/μs	200	320	500	1000	1600	2000	2500

2	–	꺼짐 시간 t의 매개변수_큐:
영숫자 코딩	0	지하 2층	C2	E2	H2	K2	M2	P2	T2	X2	A3
디지털 코딩	0	–	–	1	–	–	2	–	3	–	4
티_큐, µs	표준화되지 않음	800	630	500	400	320	250	200	160	125	100

메모:위상 제어 사이리스터(T)에 대한 동적 매개변수 그룹 식별 Identification of dynamic parameter groups for Phase Control Thyristors (T)

위상 제어 사이리스터 N0465WN140 및 교체 ATDN0465WN140의 치수:

패키지 W46

디스크 사이리스터 T123-100의 극성(양극, 음극, 게이트) 및 치수:

Polarity (anode, cathode, gate) and dimensions of disc thyristor T123-100:

고전력 반도체자이티리스터 공장

우리 회사는 최대 15000A의 전류, 최대 9000V의 전압, 공기 및 물 방열판 등 광범위한 전력 반도체(전력 사이리스터, 모듈, 정류기 다이오드, 눈사태, 회전자 및 용접 다이오드, 트라이액 등)의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 장치를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량으로 주문하면 가격이 낮아집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

전력 사이리스터, 다이오드, 모듈 구입에 관한 질문이 있는 경우 다음 주소로 이메일 요청을 보내십시오.

[email protected]

그리고 우리는 귀하에게 배송에 대한 상업적 제안을 제공할 것입니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공해드립니다!

우리는 생산 시설에서 제품을 생산할 수 있습니다.
귀하의 요청 및 기술적 작업에 따라.

파워 디스크 사이리스터용 방열판:

방열판(라디에이터)은 디스크 설계에서 전력 반도체 장치의 단면 및 양면 냉각에 사용됩니다. 쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

사이리스터 냉각을 위한 공기 및 물 방열판도 주문할 수 있습니다.

방열판에 대한 자세한 내용은 "디스크 장치용 공냉식 방열판 O 시리즈", "공기 방열판 SF 시리즈", "수냉식 방열판 SS 시리즈"를 참조하세요.

위상 제어 사이리스터 SCR의 사진:

Jythyristor 공장을 선택하는 이유

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 업계에서 20년 이상의 경험
50개 이상 국가의 고객이 우리를 신뢰합니다.
10A~15000A의 전류, 100V~9000V의 전압을 위한 제품 라인의 20000개 품목
우리는 다른 제조업체의 제품과 유사한 제품을 생산합니다.
인증된 품질 보장, 작동 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준을 준수합니다.
우리 회사는 다음 제품에 대해 품질 보증을 제공합니다.2년.
우리는 고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트를 거쳤으며,테스트 보고서각 제품에 대한 매개 변수가 제공됩니다.

파트너십 지리

JY공장전 세계 50여 개국에 전력반도체를 제조, 공급하고 있는 회사입니다.

물류 및 배송

우리는 DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex 등 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계에 제품을 배송합니다.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

Jythyristor 공장 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류기 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 애벌런치 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 고속 복구, 용접 및 회전자 다이오드, 트라이액, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터 다이오드, IGBT), 공기 및 물 방열판이 포함됩니다.

전력 다이오드와 사이리스터는 10A~15000A의 전류, 100V~9000V의 전압 범위에 대해 생산됩니다.
파워 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 최대 1250A, 전압 범위 400V - 4400V에서 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 등가, 대체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.